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Samsung ha annunciato l’inizio della produzione di massa di System-on-Chip (SoC) con litografia a 10 nanometri FinFET. Sarebbe la prima a farlo.
“Essere la prima industria ad aver avviato la produzione di massa di chip con tecnologia a 10 nanometri FinFET dimostra la nostra leadership nel settore del progresso tecnologico” dice Jong Shik Yoon, Executive Vice President, Head of Foundry Business at Samsung Electronics. “Continueremo con i nostri sforzi nell’innovare e fornire soluzioni differenziate ai nostri clienti.”
Wafer costruito con tecnologia a 10 nanometri FinFET
Il nuovo processo a 10 nanometri (nome in codice 10LPE) adotta un’avanzata struttura 3D dei transistor che migliora sia il processo produttivo sia il progetto se comparato al precedente processo a 14 nm, consentendo un incremento del 30% nell’area usata, un aumento di prestazioni del 27% e consumi ridotti del 40%.
La produzione di massa della seconda generazione di chip prodotti con tecnologia a 10 nm (nome in codice 10LPP) con prestazioni migliorate è prevista per la seconda metà del 2017. L’azienda pianifica di continuare a mantenere la sua leadership producendo varie derivazioni dei processi produttivi per incontrare le esigenze dei clienti più disparati.
Attraverso strette collaborazioni con clienti e partner, Samsung vuole costruire un robusto ecosistema di fonderie che includa verifica del flusso, IPs e librerie.
SoC con processo produttivo a 10 nanometri verranno utilizzati dai dispositivi che verranno lanciati all’inizio del prossimo anno e ci si aspetta di avere una maggiore disponibilità nel corso del 2017
